光刻机|革了尼康、佳能命的浸润式光刻机，是怎么被ASML研发出来的？

2026-11-10 光刻机尼康阿斯麦尔佳能

【光刻机|革了尼康、佳能命的浸润式光刻机，是怎么被ASML研发出来的？】

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如果关注关刻机技术的人都清楚，目前有两种光刻机，一种是DUV ，一种是EUV 。
其中EUV用于7nn及以下芯片的光刻， DUV用于7nm以上的芯片光刻。而DUV光刻机，基本上都是采用浸润式原理。
即在光刻机中，采用水为介质，让193nm波长的光线，进入水中进行折射后，让波长变成132纳米，从而实现从45nm-10nm级别的光刻。

事实上，在浸润式光刻机推出之前，业界采用的均是干式光刻机，即介质为空气， 193nm波长的光线，直接进行光刻。
而在干式光刻机技术中，尼康、佳能才是巨头。至于ASML ，还只是一个小工厂，与尼康、佳能完全不是一个级别的。
后来是ASML押宝浸润式光刻机，某了尼康、佳能的命，把尼康、佳能踩在了脚下。

那么问题就来了，为何偏偏是ASML？
事实上，在光刻机采用193nm波长后，芯片工艺达到了65nm了，接下来芯片工艺是朝着45nm前进。但193nm的光线，感觉不够精细，所以业界把光刻的光线瞄向了157nm的波长上。
但157nm这个波长的光线，很不好，这种光线穿透率很差，这就需要光罩材质要改进，镜头技术也改进。另外氧气会吸收157纳米的光，所以干式介质中，不能有氧气，要采用氮气。反正就是157nm波长的光线，难题一大堆，非常不好解决。

这时候在台积电工作的林本坚，提出了一个观点，为何一定要用干式介质呢？用水来当介质也可以的。
并且在经过不断的试验之后，他发现193nm波长的光线经过水折射后，波长变为132nm了，这个波长跳过了157nm这个讨厌的波长，又解决了问题，岂不是两全齐美？
但这时候像尼康、佳能等早就在157nm波长上投入了几十亿美元研究，并且认为157nm波长才是方向，所谓的浸润式技术上并不可行，所以没怎么理会。

只有ASML因为是小厂，反正光脚的不怕穿鞋的，觉得可以赌一把，于是用这个技术，赶出来了一台试验性的浸润式光刻机，并把一些试验出来的结果给台积电看。
台积电一看，觉得技术完全可行，于是台积电和ASML两家公司一起努力，研发浸润式光刻机了。
而这时像尼康、佳能等，还说林本坚是在搅局，甚至想通过高层来阻止林本坚研发浸润式光刻机，因为他们在157nm波长光刻机上投入太多了，还联合了产业链一起向157nm推进，不可能半途而废，那几十亿美元打了水漂了，给产业链也没法交待。

最后就是ASML与台积电研发浸润式光刻机成功了，而研发157nm波长光刻机的尼康、佳能没有拿出可靠的产品出来。
于是后来所有的晶圆厂，都转向了ASML生产的浸润式光刻机，当尼康、佳能转向浸润式光刻机时，已经落后ASML三、四年了。
所以最后，尼康、佳能只能看着ASML越来越火，最后还推出了EUV光刻机，他们却慢慢的被淘汰掉了……

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