6月30日消息 ， 三星方面在今日宣布 ， 其公司位于韩国的华城工厂已经开始大规模生产3纳米工艺芯片 ， 三星将成为全球首家量产3nm技术产品的公司 。

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根据三星官方公布的信息 ， 三星在3nm工艺上采用了全新的GAA（GateAllAround）晶体管架构 ， 相比较于传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）架构有所不同 。

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【三星官宣：已量产3纳米芯片，全球首家】三星方面表示 ， 与传统的5纳米芯片相比 ， 新开发的第一代3纳米工艺可以降低45%的功耗 ， 性能提高23% ， 并减少16%的面积 。 而目前三星官方尚未公布此3nm芯片的客户 。

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台积电方面则将在今年下半年启动3nm工艺的大规模量产 ， 仍将会采用FinFET（鳍式场效应晶体管）架构 。

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