|一份不错的LDO电容选型指南( 三 )

公式1
其中:
CBIAS为工作电压下的有效电容。
TVAR为最差情况下电容随温度的变化量(几分之一) 。
TOL为最差情况下的元件容差(几分之一) 。
本例中假定X5R电介质在?40°C至+85°C范围内的最差情况电容(TVAR)为0.15(15%) 。假设电容容差(TOL)为0.10(10%) CBIAS在1.8 V时为0.94μF如图4所示。
将这些值代入公式1中可得到:

在此示例中LDO指定在期望工作电压和温度范围内的最小输出旁通电容为0.70μF 。因此针对此应用所选的电容满足此要求。

图4. 电容与电压偏置特性的关系
结束语
为了保证LDO的性能必须了解并评估旁通电容的直流偏置、温度变化和容差对所选电容的影响。此外在要求低噪声、低漂移或高信号完整性的应用中也必须认真考虑电容技术。所有电容都会受到非理想行为的影响但一些电容技术比其他技术更适合于某些特定应用。

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