芯片|华为该高兴了，IBM、东京电子宣布3D芯片有突破，华为正需要

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众所周知，目前华为的麒麟芯片，已经找不到代工方了，原因就不多说了。
为了解决这个问题，华为也提出很多的新方案，比如芯片堆叠方案，先进的封装技术等，均是利用不那么先进的工艺，制程出性能更强的芯片来，以解决当前的问题。
不过芯片堆叠， 3D封装等，并不是这么容易的，也需要解决很多难题才行的。
【芯片|华为该高兴了，IBM、东京电子宣布3D芯片有突破，华为正需要】
近日，传出好消息了，那就是IBM、东京电子（Tokyo Electron）宣布，他们在3D芯片堆叠方面取得了工艺上的新突破。
按照双方的说法，他们已经找到了一种方法，可以使硅载体晶圆用于3D芯片制造，而不会存在当前的缺陷。他们的新方法使用红外激光将硅载体晶圆与其他硅晶圆分离。

可能这么一说，大家还是云里雾里，不知道具体有什么用。
简单的来讲，这种方式减少了兼容性问题，减少了缺陷和工艺问题，可以将更多的芯片堆叠在一起，这样使制造出来的3D芯片，性能更强，但却又更薄。
所谓3D（堆叠）的芯片，本身就是利用体积换性能，就是利用多块芯片堆在一起，以获得更高的性能，做得薄，就可以搞更多的层，这样就算是不那么先进的工艺，多层堆在一起，也可以实现非常强的性能了。

而华为因为禁令的原因，无法找代工厂，生产出先进工艺的芯片来，只能是成熟工艺，如果利用这种3D芯片技术，就可以将多层的相对落后的芯片堆叠在一起，这样就算工艺不先进，也能够获得先进的芯片，这正是华为需要的啊。
所以说，虽然这是IBM、东京电子的技术，但这些技术是对外公开的，其它厂商也可以使用，所以华为也一样可以使用，华为不应该高兴一下么？