芯片|中科院传来喜讯，取得一项晶体管领域进展( 二 )

目前市面上主流的晶体管架构主要采用FinFET（鳍式场效应晶体管），这是过去十年半导体行业主流的晶体管架构。但是发展到了5nm之后，再往下就很难靠FinFET满足静电控制的需求了。
继续往下只会加剧漏洞现象，于是三星率先做出改变，其量产的3nm采用了GAA（全环绕栅极晶体管）架构。和三星不同，台积电需要到2025年才会用上GAA工艺，即将量产的3nm仍会采用FinFET 。

至于台积电如何把控静电，漏洞等问题，就得看台积电自己了。
可以知道的是，三星选择的GAA晶体管架构有更明显的芯片性能提升，若未来能够配合a-IGZO晶体管材料发展，兴许能给芯片行业带来惊喜。
当然，最终还是需要时间给出答案的。至少有了这些探索之后，芯片领域的新方向有了更多可能性。
新的晶体管材料和晶体管架构双管齐下，再配合芯片制造商的制程研究，以及未来ASML量产的新一代NAEUV光刻机，人类芯片工艺依然能创造新的奇迹。

总结
芯片制程的进步需要时间沉淀，不是一蹴而就的。别看现在三星能顺利量产3nm ，但在此之前三星肯定是做了大量的准备。
十年前人类迈入28nm制程时代，十年后进入到3nm ，那么未来十年呢？我们无法预知将来，但不管前路如何漫长，都必须保持前行。
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