拼多多|从“造不如买”到集中力量攻坚，中国离7nm光刻机还有多远？

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文 | 华商韬略付磊
时代在发展，科技在进步，如果说科技是一个国家强盛的根基，那么半导体芯片的制造则代表着人类科技的发展水平，而光刻机则是芯片制造中必不可少的一部分。
如今，我国能够生产的光刻机是第四代的ArFDE 90nm制程，然而世界上最先进的光刻机生产企业ASML已经可以做到生产EVU的7nm制程量产。因此我国的光刻机技术水平仍然需要不断努力突破，才能弥补这个差距。
【中国光刻机的三次“突破”】
在1952年，我国步入计算机科研，国家也正是成立了计算机科研小组，而此时的中国相对于外国来讲， GDP仍然差距较大。
直到1956年，我国正式开始重视半导体产业，并且成功研制出第一只晶体三极管，从此中国进入半导体的新纪元，然而此时相对世界上第一只三极管的诞生已经过去了长达9年的时间。
伴随着晶体管的研发成功，我国相关的科研进度也飞速加快，然而“天公不作美” ，尽管我国努力在向着光刻机制造产业前进，但仍然困难重重。
1961年，美国GCA公司成功制造出第一台接触式光刻机，再加上新中国建立初期，美国、英国等17个国家就成立了国际巴黎统筹委员会，主要是为了限制成员国向发展中国家出口物资和高新技术，中国也在封禁的行列之中。
而光刻机，也被该委员会列为尖端科技产品，对于中国实施禁运，此时的中国也正式遭遇第一次“高科技卡脖” 。
基础实力差，加上外国这样的“绊脚石” ，让中国不得不主张自行研发。
1977年，历经10年之久的中国经过自己的不懈努力，上海光学机械厂成功制造出JKG-3型接触式半自动光刻机。
这也代表着此时的中国半导体产业正在紧跟外国的科技发展步伐，然而真正距离美国制造出的光刻机已经相差近二十年，并且就在同年，美国再次推出了真正的自动化光刻机。
后来的中国通过老一辈的科研工作者努力，正在一切向着前进的方向发展，然而本以为将会顺利发展、步入快车道的中国光科技产业，在1984年遭遇了“中断” 。
伴随着日后光刻机市场霸主ASML的诞生而打破，并且随着中国重视重心逐步趋向于其他行业，中国在80年代底，开始主张“造不如买”的政策。使得自身的科研进度逐步减缓，以至于中国的集成电路在科研、教育等方面出现脱节，自主研发的道路越走越窄。
取而代之的是数以万千的廉价劳动力，尽管后来尽力去跟进研发，但由于自身发展原因加上大环境影响，导致曾经辉煌一时的半导体盛景已然成为“泡沫” 。这也代表着中国由于自身原因遭遇第二次“卡脖” 。
历时20年之久，中国光刻机技术一直卡在193nm无法突破，中国随着发展也逐渐认识到半导体产业的重要性，开始探讨突破193nm的方法。而此时的ASML却已经开始了EUV光刻机的研发工作，并且成功在2010年正式研发出第一台EVU原型机。
此时的中国就已经意识到了其重要性，快速向半导体产业进军。恰巧2000年的中国，正是大量爱国人士回国创业的时代，他们带着外国的先进知识和经验，进一步促使中国半导体的产业得到光速发展。
2007年，上海微电子宣布研制出90nm的分布式投影光刻机，但由于大多数元器件来自国外，西方国家再次禁运，导致无法量产。后来国家为了解决这一难题，除了抓紧整机制造，还开始扶持一系列配套产业链的发展，在不懈努力下，光刻机产业也成功在2016年实现90nm的光刻机量产。