半导体|光刻机：一枝独秀！( 三 )

值得注意的是，日经新闻网还指出，新工厂还计划开发新一代设备，这新一代设备就是上述提到的NIL设备， NIL是一种复制纳米尺度特征的有效技术， 2003年就被添加到ITRS路线图中。
作为NIL技术的拥护者，佳能早在2004年就开始这项技术的研发，目前已经在存储领域取得了显著进展（和佳能共同开发的NIL技术的铠侠已掌握NIL 15nm的制程量产技术，目前正在进行15nm以下技术研发，预计2025年进一步达成）。
据悉，为了实现NIL系统的快速升级，佳能还应用机器学习和AI技术进一步提高系统性能，提高生产力，并实现更自主的控制。或许，佳能NIL设备的量产已经指日可待了。
不得不承认，近期内佳能在光刻机领域的布局并不少，今年4月初，日经新闻还报道称，佳能正在开发用于半导体3D技术的光刻机，新产品通过在原基础上改进透镜和镜台等光学零部件，来提高曝光精度，曝光面积达到原产品的4倍。
为了增加布线密度，新产品还提高了分辨率，支持1微米的线宽。不过，该新产品最早于2023年上半年上市，从时间来看，或许还是在原有厂房内制造。
产能方面，佳能预测2022年半导体光刻设备的销量比上年增长29％，增至180台，最近10年内激增至4倍，建设新工厂后， 2个基地的总产能将增至约2倍。产能和研发两手抓的佳能，能否在未来扩大自己光刻机的市占率，我们也拭目以待。
尼康虽然暂未传出扩产消息，但据日经新闻8月报道，尼康预计2025财年（截至2026年3月）将把半导体光刻机主力机型的年销量增至截至2021财年（截至2022年3月）3年平均销量的2倍以上，以2023年上市的支持3D半导体的新产品为中心，开拓英特尔以外的日本、中国大陆、台湾客户。虽然并非是尖端的光刻机，但尼康认为通过支持3D实现附加价值，可以提高在行业里的影响力。
光刻机为何如此“耐打”
同为半导体制造不可或缺的设备，为什么光刻机就如此“耐打”？笔者分析，主要有以下三大原因：
原因一：先进制程设备的订单比产能扩张计划更具黏性。
光刻技术是芯片制造工艺中最关键的一步，芯片技术之所以能在过去60年间，一步步从百微米发展到如今的3nm ，光刻机功不可没，没有光刻机，摩尔定律或许无法延伸到现在。
在芯片制造过程中，光刻机身处最前道，只有通过光刻机把掩膜版上的电路图转移到晶圆表面的抗蚀剂膜上，才能进行后续的化学显影、定影、清洗和检测等工序，没有光刻机，再优秀的芯片设计也只会是“镜中花，水中月” ，无法转换成对我们有用的芯片。
而对于台积电、三星、英特尔等一线晶圆代工厂来说，想要抢在竞争对手前面率先取得先进制程的突破，绕不开光刻机，毕竟“巧妇难为无米之炊” ，没有先进的光刻机就不可能制造出采用先进制程工艺的芯片，所以大厂们才会在去年年底就开始争先下单ASML High-NA EUV 。
High-NA EUV作为进入到未来2nm ，甚至是“埃米时代”的入场券，只有拥有了它，玩家才有资格参与到下一轮的先进制程斗争中。