nx|台积电关闭EUV光刻机，中芯国际却突破成功：自主研发的路走对了( 二 )

BCD工艺
中芯国际在成熟制程领域实现反超
虽然中芯国际屡遭挫折，但是最近也有好消息传来，那就是通过长时间的打磨，在28nm以上的成熟工艺制程上，中芯国际在全球范围内已经取得了领先，更是全球首个将BCD平台推进到55nm制程的厂商。
BCD指的是Bipolar-CMOS-DMOS ，其中的Bipolar是用于高精度处理模拟信号的双极晶体管， CMOS是用于设计数字控制电路的互补金属氧化物半导体， DMOS是用于开发电源和高压开关器件的双扩散金属氧化物半导体。 BCD平台则是将Bipolar-CMOS-DMOS这三者集成到一个芯片上去，是一种先进的单片集成技术。通过BCD技术将可以大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路的封装费用，并具有更好的可靠性。
对比全球范围内，台积电和三星的BCD工艺也停留在65nm ，意法半导体的BCD工艺是90nm ，因此中芯国际也确实在BCD工艺方面取得了领先。而BCD工艺可以应用在电源管理、显示驱动、汽车电子、工业控制等领域的特点也使得中芯国际在未来新能源汽车产业中拥有不小的发挥空间和优势。

台积电
写在最后
罗马不是一日建成的，芯片产业的发展也不可能一蹴而就。目前虽然中芯国际在3nm等先进制程上由于缺乏EUV光刻机而处于落后地位，但是在成熟制程上已经完成了反超。
相反一心钻研先进制程的台积电则先是碰到了刚刚研发出的3nm制程遭到包括苹果在内的众多客户所放弃的困境，这也导致台积电巨额投入的研发费用可能面临颗粒无收的困境。同时由于包括高通、英伟达等厂商砍单造成高端芯片需求大幅下滑。由于EUV光刻机需要使用高能激光器，而且光线会多次折射导致损耗极大，因此每台EUV光刻机生产一天需要3万度电左右，一年耗电大约1000万度。在高端芯片需求萎靡之下，台积电也不得不关闭部分EUV光刻机以减少产量和耗电量。

台积电关闭EUV光刻机
相反由于新能源汽车产量的增加，对于28/56nm等成熟制程的需求则十分火热，使得中芯国际的成熟芯片制程需求旺盛。所谓失之东隅，收之桑榆，在成熟制程上耕耘的中芯国际反而迎来自己发展的良机。
通过在成熟芯片制程领域的发展，中芯国际不仅仅能够夯实自己的基础，同时也可以不断将成熟制程所获取的收益投入到先进制程的研发中去。随着摩尔定律逐渐逼近极限，受限于原子体积以及隧穿效应的影响，半导体产业的发展速度正由于物理极限的到来而不得不放缓，这也是中芯国际等国产企业实现追赶的良机。
如今我们落后的时间是5年，那么十年、二十年后国内半导体产业能否将这个差距缩小到4年、3年甚至更短呢？欢迎留言讨论。